[发明专利]形成硅化钴的方法和装置组及具有该硅化钴的半导体元件

摘要

本发明提供了一种形成硅化钴的方法和装置组及具有该硅化钴的半导体元件。此方法先于硅层上形成钴/钴钛合金复合层，再加热引发金属硅化反应。所形成的硅化钴层具有极低的电阻，且品质不随工艺线宽而变，所以特别适合使用在半导体元件中。进行该方法的装置组由合适的溅镀室及加热组件所构成，以进行金属硅化反应所需的各种操作步骤，而能够提高经济效益与生产力。

主权项

1.一种形成硅化钴的方法，适用于一硅衬底上，包括；(a)在该硅衬底上沉积含钴的一第一金属层；(b)至少在该第一金属层的多个选取部分上形成一第二金属层，该第二金属层含有钴与一耐热金属的合金；(c)进行一第一热处理，以至少使部分的该第一金属层与该硅衬底反应，而形成含有一或多种硅化钴相的一第一硅化组成物，该第一硅化组成物具有一第一电阻率；以及(d)进行一第二热处理，以使含有一或多种硅化钴相的该第一硅化组成物转变成一第二硅化组成物，该第二硅化组成物主要具有一低电阻率硅化钴相，且该低电阻率硅化钴相的电阻率实质上低于该第一电阻率。