[发明专利]液晶显示器的制造方法有效

专利信息
申请号: 03142449.X 申请日: 2003-06-12
公开(公告)号: CN1567029A 公开(公告)日: 2005-01-19
发明(设计)人: 石储荣;林国隆;陆一民 申请(专利权)人: 统宝光电股份有限公司
主分类号: G02F1/133 分类号: G02F1/133;G02F1/136;H01L29/786
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 台湾省新*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种制造液晶显示器(LCD)的方法,该方法是先形成P形低温多晶硅薄膜晶体管的有源层以及储存电容的下储存电极,再分别形成P型的源极/漏极以及在下储存电极中注入掺杂物,然后形成栅极绝缘层、栅极电极、电容介电层以及上储存电极,最后再形成液晶显示器的源极导线、漏极导线以及像素电极。
搜索关键词: 液晶显示器 制造 方法
【主权项】:
1.一种液晶显示器的制造方法,该液晶显示器包括至少一P型低温多晶硅薄膜晶体管以及至少一储存电容,该方法至少包括下列步骤:提供一基板;在该基板之上形成一多晶硅层;进行一第一光刻暨蚀刻工序,去除部分上述多晶硅层,以便在上述基板的表面限定出一有源区以及一下储存电极,其中上述有源区包括一源极区域、一漏极区域以及一通道区域;进行一第二光刻暨蚀刻工序,以便在上述基板之上形成一第一掩模,其中该第一掩模暴露出上述源极区域、漏极区域以及下储存电极;利用第一掩模作为掩蔽物进行一P型离子注入工序,以便在上述源极区域以及漏极区域内分别形成一源极电极以及一漏极电极,同时在上述下储存电极之内注入掺杂物;去除上述第一掩模;在上述基板之上形成一金属层,用以覆盖上述有源区以及下储存电极;进行一第三光刻暨蚀刻工序,去除部分上述金属层,以便在上述通道区域之上形成P型低温多晶硅薄膜晶体管的栅极电极,并在上述下储存电极之上形成储存电容的上储存电极;在上述基板之上形成一第一绝缘层,用以覆盖上述栅极电极及上储存电极;进行一第四光刻暨蚀刻工序,去除部分上述第一绝缘层,以形成至少一可连通上述源极电极、漏极电极及栅极电极的第一接触孔;在上述第一绝缘层之上形成一导电层,用以填满上述第一接触孔;进行一第五光刻暨蚀刻工序,去除部分上述导电层,以便在上述第一绝缘层之上形成一源极导线及一漏极导线,且使源极导线及漏极导线分别经由第一接触孔而被电连接至源极电极及漏极电极;以及在上述基板上形成一第二绝缘层,用以覆盖上述第一绝缘层、源极导线及漏极导线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于统宝光电股份有限公司,未经统宝光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03142449.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top