[发明专利]液晶显示器的制造方法有效
申请号: | 03142449.X | 申请日: | 2003-06-12 |
公开(公告)号: | CN1567029A | 公开(公告)日: | 2005-01-19 |
发明(设计)人: | 石储荣;林国隆;陆一民 | 申请(专利权)人: | 统宝光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133;G02F1/136;H01L29/786 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 台湾省新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及一种制造液晶显示器(LCD)的方法,该方法是先形成P形低温多晶硅薄膜晶体管的有源层以及储存电容的下储存电极,再分别形成P型的源极/漏极以及在下储存电极中注入掺杂物,然后形成栅极绝缘层、栅极电极、电容介电层以及上储存电极,最后再形成液晶显示器的源极导线、漏极导线以及像素电极。 | ||
搜索关键词: | 液晶显示器 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种液晶显示器的制造方法,该液晶显示器包括至少一P型低温多晶硅薄膜晶体管以及至少一储存电容,该方法至少包括下列步骤:提供一基板;在该基板之上形成一多晶硅层;进行一第一光刻暨蚀刻工序,去除部分上述多晶硅层,以便在上述基板的表面限定出一有源区以及一下储存电极,其中上述有源区包括一源极区域、一漏极区域以及一通道区域;进行一第二光刻暨蚀刻工序,以便在上述基板之上形成一第一掩模,其中该第一掩模暴露出上述源极区域、漏极区域以及下储存电极;利用第一掩模作为掩蔽物进行一P型离子注入工序,以便在上述源极区域以及漏极区域内分别形成一源极电极以及一漏极电极,同时在上述下储存电极之内注入掺杂物;去除上述第一掩模;在上述基板之上形成一金属层,用以覆盖上述有源区以及下储存电极;进行一第三光刻暨蚀刻工序,去除部分上述金属层,以便在上述通道区域之上形成P型低温多晶硅薄膜晶体管的栅极电极,并在上述下储存电极之上形成储存电容的上储存电极;在上述基板之上形成一第一绝缘层,用以覆盖上述栅极电极及上储存电极;进行一第四光刻暨蚀刻工序,去除部分上述第一绝缘层,以形成至少一可连通上述源极电极、漏极电极及栅极电极的第一接触孔;在上述第一绝缘层之上形成一导电层,用以填满上述第一接触孔;进行一第五光刻暨蚀刻工序,去除部分上述导电层,以便在上述第一绝缘层之上形成一源极导线及一漏极导线,且使源极导线及漏极导线分别经由第一接触孔而被电连接至源极电极及漏极电极;以及在上述基板上形成一第二绝缘层,用以覆盖上述第一绝缘层、源极导线及漏极导线。
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