[发明专利]在磁阻器件中使用延迟电脉冲有效
申请号: | 03142472.4 | 申请日: | 2003-06-10 |
公开(公告)号: | CN1469385A | 公开(公告)日: | 2004-01-21 |
发明(设计)人: | M·夏尔马;M·巴塔查里亚;L·T·特兰 | 申请(专利权)人: | 惠普公司 |
主分类号: | G11C11/15 | 分类号: | G11C11/15;H01L43/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯;梁永 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 器件(10)具有磁阻单元(14),临近磁阻器件的第一导体(8)以及临近磁阻器件的第二导体(9)。磁阻单元被暴露在由第一导体承载的第一电脉冲(801)所产生的磁场之中。磁阻单元也被暴露在由第二导体承载的第二电脉冲(802)所产生的磁场之中。第二电脉冲相对于第一电脉冲有延迟。 | ||
搜索关键词: | 磁阻 器件 使用 延迟 电脉冲 | ||
【主权项】:
1.一种器件(10),它包括:磁阻单元(14);第一导体(8),它临近所述磁阻单元,其中所述磁阻单元暴露在所述第一导体承载的第一电脉冲(801)所生成的磁场中;以及第二导体(9),它临近所述磁阻单元,其中所述磁阻单元暴露在所述第二导体承载的第二电脉冲(802)所生成的磁场中,所述第二电脉冲相对于所述第一脉冲有延迟。
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