[发明专利]半导体存储设备和半导体存储设备的写入方法无效

专利信息
申请号: 03142572.0 申请日: 2003-06-13
公开(公告)号: CN1469388A 公开(公告)日: 2004-01-21
发明(设计)人: 乃一修平 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G11C11/34 分类号: G11C11/34;G11C16/06
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 吴丽丽
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了半导体存储设备和半导体存储设备的写入方法。一个存储单元阵列在行方向上被分隔为多个区域。一个数据写入锁存电路构成的组分别通过字线连接到配置在每个区域的存储单元构成的组中的存储单元。数据线路分别单独地连接到锁存器电路。子字线公共地连接到每个区域的存储单元构成的组。一个字线的开关元件插在每一个子字线和主字线之间。在完成数据锁存设置的区域打开字线的开关元件,使得将一个主字线的电位传送到子字线,所以可以开始写入操作,而不会存在等待其他区域数据锁存完成的延迟。
搜索关键词: 半导体 存储 设备 写入 方法
【主权项】:
1.一种半导体存储设备,包括:多个区域,在存储单元阵列中以行的方向分隔每一个区域;配置在每个区域中的存储单元构成的组;配置在每个区域的数据写入锁存电路构成的组,通过字线连接到存储单元构成的组中的每一个存储单元;数据线路,分别连接到锁存电路;子字线,公共连接到每个区域中的存储单元构成的组;插入在每条子字线和主字线之间的字线开关元件。
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