[发明专利]电子器件及其制造方法无效
| 申请号： | 03142730.8 | 申请日： | 2003-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1469453A | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 汤浅宽 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种电子器件及其制造方法。是在绝缘膜(12)上形成了布线沟(14)后，在布线沟(14)的附近的第2绝缘膜(12)上形成改质层(15)，然后，在布线沟(14)内形成布线(16)。接着，借助于刻蚀选择性地除去改质层(15)以形成缝隙(17)，之后，向该缝隙(17)内埋入本身为低介电常数膜的第3绝缘膜(18)。提供尽管用机械强度并不充分的低介电常数绝缘膜来降低布线间电容，但却可以实现具有充分的机械强度的布线构造的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子器件的制造方法，其特征在于：具备如下工序：向衬底上淀积绝缘膜的工序；在所述绝缘膜上形成布线沟的工序；在所述绝缘膜中的所述布线沟附近形成改质层的工序；在所述形成改质层的工序之后，把导电膜埋入到所述布线沟内形成布线的工序；在所述形成布线的工序之后，采用除去所述改质层的办法形成缝隙的工序；以及向所述缝隙内埋入相对介电常数比所述绝缘膜小的低介电常数膜的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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