[发明专利]渐变带隙的铟镓砷材料的制备方法无效
| 申请号： | 03142735.9 | 申请日： | 2003-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1567533A | 公开（公告）日： | 2005-01-19 |
| 发明（设计）人： | 王书荣;王圩;朱洪亮;张瑞英;边静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L33/00;H01S5/30;H01S5/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种渐变铟镓砷材料的外延制备方法，包括如下步骤：(1)在衬底上外延生长一层磷化铟或砷化镓缓冲层；(2)在缓冲层上外延生长一层下波导层；(3)在下波导层上外延生长渐变铟镓砷有源层；(4)接着在渐变铟镓砷有源层上生长上不掺杂波导层；(5)在不掺杂波导层生长上波导盖层；(6)最后生长接触层，完成材料的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 渐变 铟镓砷 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种渐变铟镓砷材料的外延制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在衬底上外延生长一层缓冲层；(2)在缓冲层上外延生长一层下波导层；(3)在下波导层上外延生长渐变铟镓砷有源层；(4)接着在渐变铟镓砷有源层上生长上不掺杂波导层；(5)在不掺杂波导层生长上波导盖层；(6)最后生长接触层，完成材料的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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