[发明专利]检测光信号的方法无效
申请号: | 03142737.5 | 申请日: | 1998-12-18 |
公开(公告)号: | CN1495873A | 公开(公告)日: | 2004-05-12 |
发明(设计)人: | 三井田高 | 申请(专利权)人: | 伊诺太科株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/70;H01L31/18;H01L27/14;H04N5/335 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明是使用成象器件检测光信号的方法,该方法包括以下步骤:通过信号光在光电二极管的阱区(15)中产生光生空穴,通过大部分阱区(15)把光生空穴转移到形成在源区(16)附近的阱区(15)中的重掺杂掩埋层(25)中,重掺杂掩埋层(25)用比绝缘栅FET的阱区(15)重的杂质掺杂,在重掺杂掩埋层(25)中储存光生空穴,由此与光生电荷的量相对应改变FET的阈值电压,读取阈值电压的变化,作为被光传感器接收的信号光的量。 | ||
搜索关键词: | 检测 信号 方法 | ||
【主权项】:
1、一种检测光信号的方法,包括以下步骤:通过信号光在p型阱区中产生电子和空穴;将所述光生电子和空穴中的空穴转移到p型重掺杂掩埋层,该重掺杂掩埋层被掩埋在形成在所述p型阱区中的绝缘栅场效应晶体管的n型源区附近并被以高于所述p型阱区的浓度掺杂,以在所述重掺杂掩埋层中积累所述转移空穴,由此根据所述积累的空穴量改变所述绝缘栅场效应晶体管的阈值电压;读出所述阈值电压的变化,作为被接收的所述信号光的量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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