[发明专利]提高速度并降低电流消耗的锁存结构与系统有效
| 申请号： | 03142748.0 | 申请日： | 2003-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN1469390A | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | C·D·狄龙;L·A·辛格 | 申请（专利权）人： | 模拟设备股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40;H03K3/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李家麟 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 揭示的锁存器结构(20)和系统(60)，既能提高锁存速和降低锁存器电流消耗，又能提供互补金属氧化物半导体(CMOS)电平锁存信号。它们用双极结型结构和CMOS结构实现，配置成按CMOS电平检测信号Ssns限制锁存器电流。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 速度 降低 电流 消耗 结构 系统 | ||
【主权项】：
1、在一种响应于锁存指令信号(23)从获取模式转换到锁存模式的锁存器中，具有带第一和第二电流端子(37，38)的交叉耦合的第一和第二隔离晶体管(27，28)，所述第一电流端子耦合成接收差分输入信号，交叉耦合的第一和第二锁存晶体管(31，32)设置了集电极(39)，第一和第二限流晶体管(35，36)耦接在各自一个所述第二电流端子与各自一个所述集电极之间，而且各自响应于各自一个控制信号Scntrl而提供从获取阻抗转换到更大锁存阻抗的阻抗；其特征在于，改进包括：至少一个开关(43，44)耦接成按所述锁存指令信号向所述第一电流端子提供电流；和响应于互补金属氧化物半导体(CMOS)信号的控制器(48)，被耦合成接收来自至少一个所述第二电流端子的CMOS电平检测信号Ssns，作为响应，提供至少一个所述控制信号Scntrl。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于模拟设备股份有限公司，未经模拟设备股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03142748.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
