[发明专利]热处理装置、热处理系统及热处理装置的温度控制方法无效
| 申请号： | 03142786.3 | 申请日： | 2003-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN1542927A | 公开（公告）日： | 2004-11-03 |
| 发明（设计）人： | 村上诚志;堀込正弘;河西繁 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种热处理装置，它不必使处理容器内对大气开放、可迅速求出温度监测用半导体硅片的热处理时的温度及其温度分布。在对被处理体(W)进行规定的热处理的热处理装置中，包括：可排气的处理容器(30)；放置被处理体的载放台(32)；向处理容器内供给气体的气体供给部件(36)；加热被处理体的加热部件(34)；根据规定的控制对象参数对加热部件的温度进行控制的温度控制部件(35)；根据以规定的浓度把第2导电型杂质注入到第1导电型半导体硅片的表面上的温度监测用半导体硅片(Wm)的薄膜电阻，对控制对象参数进行补偿的加工条件补偿部件(44)。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 装置 系统 温度 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对被处理体进行规定热处理的热处理装置，其特征为，包括：可排气的处理容器；放置被处理体的载放台；向所述处理容器内供给气体的气体供给部件；加热所述被处理体的加热部件；根据规定的参数对所述加热部件的温度进行控制的温度控制部件；以及根据温度监测用半导体硅片的薄膜电阻调整所述参数的加工条件调整部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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