[发明专利]具有单边埋藏带的记忆胞的制造方法

摘要

本发明提供一种具有单边埋藏带的记忆胞的制造方法。提供具有沟槽的一基底，沟槽下部有一沟槽电容。形成一领圈绝缘层于沟槽上部的侧壁上。形成一导体层于沟槽电容上方。去除部分的导体层与领圈绝缘层而形成具有第一与第二侧壁的一开口，且领圈绝缘层顶部低于第一导体层顶部。对第一侧壁表面进行含氟离子的倾角度植入制程。进行热氧化制程，形成一第一氧化层于第一侧壁上，以及形成一第二氧化层于第二侧壁上，第一氧化层厚度大于第二氧化层厚度。去除第二氧化层。形成埋藏带于开口底部，埋藏带由第一氧化层而与第一侧壁绝缘隔离。

主权项

1.一种具有单边埋藏带的记忆胞的制造方法，其特征在于包括下列步骤：提供一基底，该基底具有一沟槽；形成一沟槽电容于该沟槽的下部；形成一领圈绝缘层于该沟槽的上部的周围壁上；形成一第一导体层于该沟槽电容上方，并填满该沟槽；去除部分该第一导体层与部分该领圈绝缘层而形成一开口，其中剩余的领圈绝缘层的顶部表面低于剩余的第一导体层的顶部表面，而该开口具有一第一侧壁与一第二侧壁；对该第一侧壁的表面进行一含氟离子的倾角度植入制程；进行一热氧化制程，而形成一第一氧化层于该第一侧壁上，以及形成一第二氧化层于该第二侧壁上，其中该第一氧化层的厚度大于该第二氧化层的厚度；去除该第二氧化层而露出该第二侧壁；以及形成当作是一埋藏带的一第二导体层于该开口的底部，其中该第二导体层是由该第一氧化层而与该第一侧壁绝缘隔离。