[发明专利]金属层的改质方法无效
| 申请号： | 03142956.4 | 申请日： | 2003-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN1567547A | 公开（公告）日： | 2005-01-19 |
| 发明（设计）人： | 方瑞华;钟振辉;吕佳慧 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/321;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 马娅佳 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种金属层的改质方法。首先，提供一半导体基底；接着，形成一第一金属阻障层于上述基底表面；接着，形成一金属层于上述第一金属阻障层表面；然后，形成一第二金属阻障层于上述金属层表面；最后，实施一改质程序。该改质程序包括：1.以热处理方式，包括烘烤或快速冷却，改质金属层。2.以含氮气体处理方式改质金属层。而改质程序可施行于1.形成金属层之前，2.形成金属层之后，3.形成第二金属阻障层钛之后，4.形成第二金属阻障层氮化钛之后。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 方法 | ||
【主权项】：
1、一种金属层的改质方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体基底；形成一第一金属阻障层于所述基底表面；形成一金属层于所述第一金属阻障层表面；形成一第二金属阻障层于所述金属层表面；以及实施一热处理程序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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