[发明专利]相容于SRAM界面的DRAM的延迟读取/储存模式有效
| 申请号： | 03142979.3 | 申请日： | 2003-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1567477A | 公开（公告）日： | 2005-01-19 |
| 发明（设计）人： | 施正宗 | 申请（专利权）人： | 钰创科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C11/406;G11C7/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 吴林松 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种内部式执行外部初始化存取动态内存阵列，而该陈列包括需要周期性更新的多个动态记忆体存格的方法，该方法包括：第一，确定该动态内存阵列是否已经启动；第二，插入一读写待机时间的等待期，其中该读写待机时间是为列存取时间以及列预充电时间的总和。并且候待更新是于读写待机时间当中进行。候待写入存取得于读写待机时间当中进行。最后，在读写待机时间后，再将外部的存取于动态内存阵列内进行内部式执行的方法和电路。 | ||
| 搜索关键词： | 相容 sram 界面 dram 延迟 读取 储存 模式 | ||
【主权项】：
1.一种相容于静态随机存取记忆体(SRAM)界面的动态随机存取记忆体(DRAM)，尤指一种内部式执行外部初始化存取动态记忆体阵列，而该阵列包括需要周期性更新的多个动态记忆体存格的方法，该方法包括：-确定该动态记忆体阵列是否已经启动；-等待一读写待机时间，其中该读写待机时间是为列存取时间以及列预充电时间的总和，并且候待更新是于读写待机时间当中进行；以及，-在读写待机时间后，内部式执行外部存取该动态记忆体阵列。
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