[发明专利]金属硅化双层结构及其形成方法有效
| 申请号： | 03143025.2 | 申请日： | 2003-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN1567536A | 公开（公告）日： | 2005-01-19 |
| 发明（设计）人： | 张志维;王美匀;眭晓林;梁孟松 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/321;H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 马娅佳 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种形成具有金属硅化双层结构的半导体装置的方法。首先，提供一硅基底，其具有一栅极及一源极/漏极区，并在硅基底上依序顺应性地沉积一镍金属层及一钴金属层。然后，对硅基底实施一热处理，以在栅极及源极/漏极区上形成一钴/镍钴/镍双层金属硅化物。最后，去除未硅化的钴金属层及镍金属层。本发明亦揭示一种具有金属硅化双层结构的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 金属硅 双层 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属硅化双层结构，包括：一硅基底；以及一钴/镍双层金属硅化物，设置于该硅基底上，其中该钴/镍双层金属硅化物包括一镍金属硅化层，位于该硅基底上方，以及一钴金属硅化层，位于该镍金属硅化层上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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