[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 03143047.3 | 申请日： | 2003-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1471161A | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | 河野一郎;冈田修 | 申请（专利权）人： | 卡西欧计算机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 黄剑锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在由铜形成的第2上层再布线(13)的除连接焊盘部以外的表面上，按照氧化第2铜层(14)、氧化第1铜层(15)顺序设置氧化第2铜层(14)和氧化第1铜层(15)。这样一来，与没有氧化第2铜层(14)和氧化第1铜层(15)的情况相比较，可以提高与铜形成的第2上层再布线(13)和聚酰亚胺和环氧树脂系树脂形成的密封膜(17)的密合性，可以提高耐湿性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具有：半导体构成体(3、41)，其包含具有集成电路部的半导体衬底(4)、及与上述集成电路部连接的多个连接焊盘(5)；多个再布线(13、10)，在上述半导体构成体(3、41)上形成，分别与上述连接焊盘(5)连接且具有连接焊盘部；及密封膜(17、12)，形成在包含上述再布线(13、10)上的上述半导体构成体(3、41)上，且由树脂形成；至少在上述再布线(13、10)的除上述连接焊盘部以外的表面，形成氧化铜层(14、15)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于卡西欧计算机株式会社，未经卡西欧计算机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03143047.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体封装制造方法及其封装件
- 下一篇：半导体器件和半导体器件的制造方法
