[发明专利]存储器的存储装置有效
申请号: | 03143084.8 | 申请日: | 2003-06-23 |
公开(公告)号: | CN1469480A | 公开(公告)日: | 2004-01-21 |
发明(设计)人: | A·L·范布罗克林;P·弗里克 | 申请(专利权)人: | 惠普公司 |
主分类号: | H01L27/10 | 分类号: | H01L27/10;G11C11/34 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴立明;梁永 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 存储器的存储装置(10)包括第一和第二存储器单元(14),每个存储器单元具有顶端和底端。第一和第二第一维导体(16)基本上共面并平行且在第一维上延伸。第一第一维导体与第一存储器单元的底端相交,第二第一维导体与第二存储器单元的顶端相交。第一第二维导体(18)在第二维上延伸并与第一存储器单元的顶端相交,第二第二维导体在第二维上延伸并与第二存储器单元的底端相交。在第三维上延伸的第一第三维导体(32,34)位于第一和第二存储器单元之间以便将第一第二维导体耦合到第二第二维导体。 | ||
搜索关键词: | 存储器 存储 装置 | ||
【主权项】:
1、一种存储器的存储装置(10),包括:第一和第二存储器单元(14),每个具有顶端和底端;第一和第二第一维导体(16),其中该第一和第二第一维导体基本上是共面并平行且在第一维上延伸,其中该第一第一维导体与该第一存储器单元的底端相交,该第二第一维导体与该第二存储器单元的顶端相交;第一第二维导体(18),其在第二维上延伸并与该第一存储器单元的顶端相交;第二第二维导体(32,34),其在该第二维上延伸并与该第二存储器单元的底端相交;以及第一第三维导体,其在第三维上延伸并位于该第一和第二存储器单元之间以便将该第一第二维导体耦合到该第二第二维导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的