[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 03143461.4 | 申请日： | 2003-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN1518125A | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 角野润;清水悟 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/76;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置中设有：含有主表面(1a)并在该主表面(1a)上隔着间隔形成沟槽(2m、2n)的硅衬底(1)；填充沟槽(2m、2n)的元件隔离氧化膜(6m、6n)；在位于元件隔离氧化膜(6m)和元件隔离氧化膜(6n)之间的主表面(1a)上形成的、含有分别与元件隔离氧化膜(6m)和元件隔离氧化膜(6n)接触的鸟嘴形状的鸟嘴(11)的隧道氧化膜(3)；以及在隧道氧化膜(3)上形成的、在元件隔离氧化膜(6m)和元件隔离氧化膜(6n)之间的中间部有大于0且小于50nm的厚度的、在鸟嘴(11)上厚度薄于上述厚度的硅膜即多晶硅膜4。从而，提供在栅绝缘膜上以所期待尺寸形成鸟嘴的、栅绝缘膜的电气特性良好的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中设有：含有主表面并在该主表面上隔着间隔形成第一与第二沟槽的半导体衬底；填充所述第一与第二沟槽的第一与第二隔离绝缘膜，在位于所述第一隔离绝缘膜和所述第二隔离绝缘膜之间的所述主表面上形成的、含有分别与所述第一隔离绝缘膜和所述第二隔离绝缘膜接触的鸟嘴状端部的含硅的栅绝缘膜，以及在所述栅绝缘膜上形成的、在所述第一隔离绝缘膜和所述第二隔离绝缘膜之间的中间部有大于0且小于50nm的厚度的、在所述端部上厚度薄于所述厚度的硅膜。
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