[发明专利]半导体图案化光致抗蚀剂层的重作工艺有效
| 申请号： | 03143604.8 | 申请日： | 2003-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1571118A | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 颜裕林;张庆裕 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体图案化光致抗蚀剂层的重作工艺。首先，提供一衬底，衬底上依序形成有第一抗反射介质涂层、第一光致抗蚀剂助黏层及第一图案化光致抗蚀剂层。接着，去除第一抗反射介质涂层上的第一图案化光致抗蚀剂层及第一光致抗蚀剂助黏层，例如以湿式剥离法完成。然后，形成第二抗反射介质涂层于第一抗反射介质涂层上。然后，形成第二光致抗蚀剂助黏层于第二抗反射介质涂层上。接着，形成第二图案化光致抗蚀剂层于第二光致抗蚀剂助黏层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 图案 化光致抗蚀剂层 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种半导体图案化光致抗蚀剂层的重作工艺，至少包括：提供一衬底，该衬底上依序形成有一第一抗反射介质涂层、一第一光致抗蚀剂助黏层及一第一图案化光致抗蚀剂层；去除该第一抗反射介质涂层上的该第一图案化光致抗蚀剂层及该第一光致抗蚀剂助黏层；形成一第二抗反射介质涂层于该第一抗反射介质涂层上；形成一第二光致抗蚀剂助黏层于该第二抗反射介质涂层上；以及形成一第二图案化光致抗蚀剂层于该第二光致抗蚀剂助黏层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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