[发明专利]于基板上形成多晶硅层的方法有效
| 申请号： | 03143605.6 | 申请日： | 2003-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1571119A | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 张茂益 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/324;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种于基板上形成多晶硅层的方法，主要包括下列步骤：最初，将惰性气体注入基板中，使基板中产生多个孔隙。接着，沉积缓冲层于基板上方。然后，沉积非晶硅层于缓冲层上方。最后，提供热量给非晶硅层，使非晶硅层成为多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 基板上 形成 多晶 方法 | ||
【主权项】：
1.一种于基板上形成多晶硅层的方法，至少包括：将一惰性气体注入一基板中，使该基板中产生多个孔隙；沉积一缓冲层于该基板上方；沉积一非晶硅层于该缓冲层上方；以及提供一热量给该非晶硅层，使该非晶硅层成为一多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
