[发明专利]半导体器件

摘要

本发明的课题是提供用硅膜形成的电阻的阻值不易发生变化的半导体器件。用无定形硅膜形成电阻31，在其表面部分中的接触栓5a、5b的连接部形成硅化物32a、32b。由于电阻31是无定形硅，所以与以多晶硅作为电阻材料的情形相比，氢原子难以结合，可以得到用硅膜形成的电阻的阻值不易发生变化的半导体器件。另外，由于在接触栓5a、5b的连接部形成了硅化物32a、32b，所以用刻蚀法在第1层间绝缘膜4a内形成用于设置接触栓5a、5b的接触孔时，不易对电阻31产生刻蚀。据此，可以得到电阻31的阻值更难发生变化的半导体器件。

主权项

1.(图1、2，实施例1，用无定形Si作为电阻，在接触上设置硅化物)一种半导体器件，其特征在于：包括以硅膜作为材料的电阻<30、31>，上述电阻的至少表面部分是无定形硅<31、33>，在上述表面部分中的接触栓的连接部形成了硅化物<32a、32b>。