[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 03143801.6 | 申请日： | 2003-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1477695A | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 垂水喜明;池田敦;岸田刚信 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，其目的在于：为微细化了的布线形成沟及通孔，制成不会出现空隙或者缝口且埋入特性优良的金属布线。利用溅射法在包含通孔17a及上布线形成沟18a的壁面及底面的第4绝缘膜17上沉积厚度约25nm、由氮化钽制成的下阻挡层19。此时的溅射条件是对靶施加约10kW的DC源功率。之后，将DC源功率降到2kW左右，对半导体衬底施加约200W的RF功率，对下阻挡层19进行使用了氩气的、蚀刻量为5nm左右的溅射蚀刻，由此而将沉积在通孔17a的底面的下阻挡层19的至少一部分沉积在通孔17a的壁面的下方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的制造方法，其中：包括：在衬底上形成拥有连接孔的绝缘膜的第1工序；在包含所述连接孔的壁面及底面的所述绝缘膜上形成导电性的底层的第2工序；对所述底层进行溅射蚀刻而将沉积在所述连接孔底面上的底层的至少一部分沉积在所述连接孔的壁面的下方的第3工序；以及利用镀膜法在所述底层上形成金属层的第4工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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