[发明专利]具有自对准节接触孔的半导体器件及其制造方法

摘要

多个用于定义有源区的沟槽形成在半导体衬底上，用多个沟槽掩模。间隙填充绝缘层形成在最终结构上以便填充沟槽和沟槽掩模定义的间隙区。接下来，沟槽掩模和间隙填充绝缘层被构图来形成用于定义狭缝开口的沟槽掩模图形和间隙填充绝缘图形，它延伸跨过并且露出有源区。栅图形形成在狭缝开口中，并且沟槽掩模图形被除去以形成露出有源区的接触开口。接下来，接触栓塞被形成以填充接触开口。这里，接触开口是自对准地采用在沟槽掩模和间隙填充绝缘层之间的蚀刻选择性形成的。最终的接触开口是长方体形状的空口。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括在半导体衬底上形成多个沟槽掩模；通过将沟槽掩模作为蚀刻掩模来蚀刻半导体衬底，以形成用于定义有源区的沟槽，沟槽和沟槽掩模定义了间隙区；用间隙填充绝缘层来填充间隙区；构图沟槽掩模和间隙填充绝缘层，直到露出有源区的顶表面，以形成沟槽掩模图形和间隙填充绝缘图形，沟槽掩模图形和间隙填充绝缘图形定义了延伸跨过有源区的狭缝开口；在狭缝开口中形成栅图形；除去沟槽掩模图形，以形成露出有源区的接触开口；以及形成接触栓塞来填充接触开口。