[发明专利]化合物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 03143836.9 | 申请日： | 2003-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN1479385A | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | 池原正博 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 封新琴;巫肖南 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种化合物半导器件包括：一个单独的平台部分，在该平台部分上，通过对化合物半导体晶片的平台蚀刻得到具有两对相互平行边的上表面，其中该平台部分由至少一个前向平台表面与至少一个后向平台表面组成，该前向平台表面是一个具有与晶片表面成钝角的平台侧面，后向平台表面是一个具有与晶片表面成锐角的平台侧面，这两个平台表面可以通过平行于平台部分上表面上一对平行边的X方向辨识。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种化合物半导体器件包括：一个单独的平台部分，通过平台蚀刻化合物半导体晶片在该平台部分上形成具有两对相互平行边的上表面，其中，该平台部分由至少一个前向平台表面与至少一个后向平台表面组成，该前向平台表面是一个具有与晶片表面成钝角的平台侧面，后向平台表面是一个具有与晶片表面成锐角的平台侧面，这两个平台表面可以通过平行于平台部分上表面上一对平行边的X方向辨识。
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