[发明专利]光刻装置和器件的制造方法无效
| 申请号： | 03143859.8 | 申请日： | 2003-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN1475864A | 公开（公告）日： | 2004-02-18 |
| 发明（设计）人： | P·M·H·沃斯特斯;H·雅各布斯;H·K·范德肖特;P·鲁特格尔斯 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00;H01L21/027;H01L21/68 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 黄力行 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 线性密封100密封在光刻投射装置的真空室VC壁110中形成的槽112上。线性密封100包括延伸密封元件120，该元件在可选择位置125处局部地偏离槽112，从而管道140能在延伸密封元件120局部偏离的位置从真空室VC外部通到真空室VC内部。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 装置 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光刻投射装置，包括：-辐射系统，用于提供辐射的投射光束；-支撑结构，用于支撑构图部件，所述构图部件用于根据所需图案对投射光束进行构图；-基底台，用于保持基底；-投射系统，用于将带图案的光束投射到所述基底的靶部上；-真空室，容纳所述支撑结构和/或所述基底台；-位于所述真空室壁中的延伸通槽；和-沿所述槽密封所述真空室的线性密封；其特征在于，所述线性密封包括延伸密封元件，用于沿所述槽密封所述真空室，所述延伸密封元件在一可选择位置处被局部偏离以提供进入所述真空室的开口。
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