[发明专利]铊系高温超导薄膜材料及其制备方法无效
| 申请号： | 03144207.2 | 申请日： | 2003-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN1516297A | 公开（公告）日： | 2004-07-28 |
| 发明（设计）人： | 阎少林;方兰;何明;路荣涛 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01L39/12 | 分类号： | H01L39/12;H01L39/24;H01B12/06;H01B13/00;C04B35/00 |
| 代理公司： | 天津市学苑有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 赵尊生 |
| 地址： | 3000*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及Tl2Ba2CaCu2O8 (Tl－2212)超导材料薄膜及其制备方法。Tl－2212超导薄膜超导转变温度高于100K；77K温度下临界电流密度大于106A/cm2；77K温度下、10GHz频率时的表面电阻小于1mΩ。Tl－2212超导材料薄膜的厚度在10nm－1000nm之间。本发明主要是采用两步方法制作Tl－2212外延超导薄膜：第一步，在衬底基片上淀积Tl－Ba－Ca－Cu－O非晶先驱薄膜；第二步，高温热处理，使Tl－Ba－Ca－Cu－O非晶先驱薄膜转变为超导薄膜。本发明解决了大面积双面Tl－2212外延超导薄膜的制备方法。本发明制作的Tl－2212外延超导薄膜可用来制作微波无源器件或其他超导电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 高温 超导 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种铊系高温超导薄膜材料，通式是Tl2Ba2CaCu2O8，其特征在于所述的Tl2Ba2CaCu2O8薄膜的超导转变温度Tc＞100K，液氮温度下临界电流密度Jc(77K)＞1×106 A/cm2，液氮温度下10GHz的表面电阻Rs＜1mΩ；所述的超导薄膜在衬底基片的一面上或两面上；所述的超导薄膜的厚度在10nm-1000nm之间。
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