[发明专利]测有机膜和高分子膜厚度的前处理方法无效
| 申请号： | 03145017.2 | 申请日： | 2003-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1470849A | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | 李兴林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号： | G01B15/02 | 分类号： | G01B15/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供一种测有机膜和高分子膜厚度的前处理方法。特别对纳米级的膜更显出优势。有目前测量各种膜厚度的方法有很多。但是，都有各自的局限性，受各种条件的制约。X射线衍射测量有机膜和高分子膜厚度时，样品必须是晶体；X射线光电子能谱测量膜的厚度时，受到样品和仪器条件的限制；扫描电镜测量膜的厚度时，受到样品制备的限制；椭偏仪测量膜厚度时，受到标准模型选择的制约。有机膜和高分子膜经过本发明提供的方法的处理后，避免了目前测量的各种条件限制，具有非常好的直观性。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 高分子 厚度 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种测有机膜和高分子膜厚度的前处理方法，其特征在于将旋涂在硅片上的待测样品膜用铜薄把膜遮挡住一部分，以双面胶带将铜薄与样品膜粘合，然后将露出部分用氩离子进行剥离，氩离子枪的束能3-10千伏，聚焦电压3-8千伏，束流3-20微安，剥离后将铜薄去掉；
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