[发明专利]形成半导体器件的方法及其结构有效
| 申请号： | 03145124.1 | 申请日： | 2003-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN1474435A | 公开（公告）日： | 2004-02-11 |
| 发明（设计）人： | 拉杰史·S·纳伊尔;贾·侯塞因;武石黑;默罕默德·伊马姆 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成半导体器件(10、40、45、50)的方法在第一区域(12)中形成多个P和N条带(16、17)，其用与基片(11)相反的导电型所形成。多个P和N条带有助于提供的低导通电阻。第一区域的一部分(15)在P和N条带下方并且防止半导体器件把高电压施加到漏区。底层(41)和顶层(48)进一步减小半导体器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 方法 及其 结构 | ||
【主权项】：
1.一种形成晶体管的方法，其中包括：提供第一导电型的基片；在该基片的表面的一部分上形成第二导电型的第一区域；以及在第一区域中形成由多个第二导电型的条带所构成的一个飘移条带，其中每个第二导电型的条带至少在两侧上与第一导电型的条带相邻，该步骤包括形成垂直延伸到第一区域并且通过第一区域向着晶体管的沟道区横向扩展第一距离的多个第二导电型的条带。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
