[发明专利]随着存储电容的电容值改变的更新时脉产生装置以及方法无效
| 申请号： | 03145214.0 | 申请日： | 2003-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1567478A | 公开（公告）日： | 2005-01-19 |
| 发明（设计）人： | 苏源茂 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种动态随机存取存储器(dynamicrandom access memory，DRAM)芯片(chip)的一更新时脉(refreshclock)的产生方法。该动态随机存取存储器芯片包含有多个的存储单元(memory cell)，每一存储单元包含有一存储电容。该产生方法包含有1)提供一冗余电容，该冗余电容与该存储电容为正相关；以及2)依据该冗余电容，产生一更新时脉。其中该更新时脉的更新间隔大约与该冗余电容的电容值大致呈正比。本发明可以节省更新动作所消耗的电能。 | ||
| 搜索关键词： | 随着 存储 电容 改变 更新 产生 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种动态随机存取存储器芯片的一更新时脉的产生方法，该动态随机存取存储器芯片包含有多个的存储单元，每一存储单元包含有一存储电容，该产生方法包含有：提供一冗余电容，该冗余电容与该存储电容为正相关；以及依据该冗余电容，产生一更新时脉；其中，该更新时脉的更新间隔是与该冗余电容的电容值呈正相关。
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