[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 03145349.X | 申请日： | 2003-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN1476086A | 公开（公告）日： | 2004-02-18 |
| 发明（设计）人： | 上野和良 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;关兆辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种具有金属区域的半导体器件，具有抗应力迁移性能和增强的可靠性。由阻挡金属膜(102)和含铜金属膜(103)制成的低层导线形成在绝缘膜(101)内。层间绝缘膜(104或104a和104b)形成在低层导线上。由阻挡金属膜(106或106a和106b)和含铜金属膜(111或111a和111b)制成的顶层导线形成在层间绝缘膜(104或104a和104b)内。含银金属保护膜(108a和108b)形成在低层导线和顶层导线的表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：一个半导体衬底，和一个金属区域，其形成在以铜作为主要成分的半导体衬底上，其中所述金属区域包括形成在所述金属区域顶部附近的不同元素部分，以及所述不同元素部分包括除了铜以外的至少一种金属元素。
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