[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 03145350.3 | 申请日： | 2003-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN1476104A | 公开（公告）日： | 2004-02-18 |
| 发明（设计）人： | 孙洛辰;金志永 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜;谷惠敏 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件及其制造方法。在半导体衬底的有源区中形成沟槽；在沟槽的内壁上形成掺杂层。用第一半导体层填充沟槽。在第一半导体层和衬底上形成栅绝缘层。在栅极绝缘层上形成两个栅电极以便沟槽位于两个栅电极之间；在每个栅电极两侧的衬底中形成第一和第二杂质区。由于掺杂层局部地形成在沟槽区中，因此源区和漏区与重掺杂层完全隔开，以削弱pn结的电场，由此提高刷新和防止源区和漏区之间穿通。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：其中形成沟槽的半导体衬底；在沟槽内壁形成的掺杂层；填充沟槽的第一半导体层；在第一半导体层和衬底上形成的栅绝缘层；在栅极绝缘层上形成的两个栅电极以便沟槽位于该栅电极之间；以及在两个栅电极中的每个栅电极的两侧的衬底中形成的第一和第二杂质区。
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