[发明专利]带有效期限的功能利用装置和半导体集成电路有效
| 申请号： | 03145379.1 | 申请日： | 2003-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN1484309A | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | 渡边浩志;松澤一也;白田理一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 带有有效期限的功能利用装置，具有第一功能块、第二功能块、连接所述第一功能块和所述第二功能块之间、能利用通过它们之间相互访问而产生的所需的功能的信号线，以及连接在或存在于所述信号线上、在经过给定的时间后使所述第一功能块和第二功能块之间不能进行相互访问，或能进行相互访问的半导体时限开关。 | ||
| 搜索关键词： | 有效期限 功能 利用 装置 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种带有效期限的功能利用装置，包括：第一功能块(1)；第二功能块(2)；连接所述第一功能块和所述第二功能块之间、并且能利用通过它们相互访问而产生的所需功能的信号线(7)；以及连接在或存在于所述信号线(7)上，在经过第一给定时间后使所述第一功能块(1)和所述第二功能块(2)间的所述相互访问实质上成为不可能或实质上成为可能的半导体时限开关(3、3X、10)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03145379.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：开口式多芯片堆叠封装体
- 下一篇：具有形成在多层布线结构中电容器的半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
