[发明专利]形成半导体器件及其结构的方法有效
| 申请号： | 03145395.3 | 申请日： | 2003-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN1472806A | 公开（公告）日： | 2004-02-04 |
| 发明（设计）人： | 沈森鹏;弗兰克·多佛;巴里·海姆 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成输出晶体管(11)并保护输出晶体管(11)免受输出端(13)上过电压条件的方法。在施加高电压到输出端(13)之前，输出晶体管(11)的主体与晶体管(11)的栅耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 及其 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种保护半导体器件的方法，其特征在于：形成半导体器件(10)，其具有输出端(13)、耦合以接收第一电压的电压输入端(26)、和输出晶体管(11)，包括形成输出晶体管(11)，其具有主体、控制电极、与电压输入端(26)耦合的第一载流电极、和第二载流电极；和形成半导体器件(10)，以在输出端(13)到达不低于第一电压的第二电压之前将控制电极耦合到主体。
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