[发明专利]ONO介电质及其制造方法有效
| 申请号： | 03145401.1 | 申请日： | 2003-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN1567544A | 公开（公告）日： | 2005-01-19 |
| 发明（设计）人： | 谢荣裕 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/283;H01L29/788;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种ONO介电质及其制造方法，其中的制造方法包括提供一晶圆基底，再利用一单一晶圆低压化学气相沉积氧化制作工艺，于晶圆基底上形成一第一氧化层。之后，利用一单一晶圆氧化制作工艺，于第一氧化层上形成一第二氧化层，再利用一低温低压沉积制作工艺，于第二氧化层上形成一氮化层。随后，于氮化层上成长一顶氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | ono 介电质 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造ONO介电质的方法，其特征在于，包括：提供一晶圆基底；利用一单一晶圆低压化学气相沉积氧化制作工艺，于该晶圆基底上形成一第一氧化层；利用一单一晶圆氧化制作工艺，于该第一氧化层上形成一第二氧化层；利用一低温低压沉积制作工艺，于该第二氧化层上形成一氮化层；以及于该氮化层上成长一顶氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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