[发明专利]通过氢改性的半导体碳纳米管及其制备方法有效
| 申请号： | 03145424.0 | 申请日： | 2003-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN1459815A | 公开（公告）日： | 2003-12-03 |
| 发明（设计）人： | 崔原凤;李永熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02;H01L21/00;C01B31/00;C01B31/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波,侯宇 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种氢改性的半导体碳纳米管及其制备方法。加氢改性的半导体碳纳米管具有存在于碳原子与氢原子间的化学键。制备半导体碳纳米管的方法包括：在真空下加热碳纳米管；把氢气中的氢分子分解成氢原子；把碳纳米管暴露于氢气中，使碳纳米管的碳原子与氢原子间形成化学键。使用该方法，可以使得金属碳纳米管转化为半导体碳纳米管和使得较窄能量带隙的半导体碳纳米管转化为较宽能量带隙的半导体碳纳米管。加氢改性的半导体碳纳米管可以用于例如电子器件，光电器件，能量储存器件等。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 改性 半导体 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.半导体碳纳米管，在碳原子与氢原子间存在化学键。
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