[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 03145481.X | 申请日： | 2003-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN1471165A | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | M·沃格特;V·波尔伊;S·里伊德尔;E·S·冯卡米恩斯基 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/52;H01L21/768;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明包括一种半导体装置，以及一种制造这种半导体装置的方法，本发明提出的半导体装置具有一主动区及一金属化层，这个金属化层至少由第一金属平面及介于主动区及金属化层之间的连接线所构成，其中金属化层的至少一金属平面系埋在一金属间电介质内，而且在金属化层内有一紫外线保护平面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，此种半导体装置具有一主动区(3)及一金属化层(4)，这个金属化层(4)至少由第一金属平面(5)及介于主动区(3)及金属化层(4)之间的连接线(8)所构成，其中该至少一金属平面(5)系埋在一金属间电介质(11)内，这种半导体装置的特征为：金属化层内(4)有一紫外线保护平面(10)。
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