[发明专利]电编程三维存储器之设计无效
| 申请号： | 03145664.2 | 申请日： | 2002-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1501506A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 张国飙 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610051四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明对电编程三维存储器(EP－3DM)作了进一步改进，并充分利用其与衬底电路的可集成性，来提高EP－3DM的速度、成品率和可编程性。EP－3DM可以利用读出放大器(S/A)、全读模式和自定时来提高其读速度。使用S/A和全读模式还能极大地提高EP－3DM单位阵列的容量，因而增强EP－3DM与衬底电路的可集成性。衬底电路上还可以嵌入RAM作为EP－3DM数据的cache，或ROM作为EP－3DM数据的纠错数据和/或升级码。 | ||
| 搜索关键词： | 编程 三维 存储器 设计 | ||
【主权项】：
1.一种电编程三维存储器(EP-3DM)，其特征在于含有：一衬底电路(10)以及至少一堆叠在该衬底电路上方的EP-3DM层(100)；所述衬底电路含有一周边电路(18/70)，该周边电路含有多个数据读出放大器(17a)；所述EP-3DM层含有至少一个单位阵列(0A)，该单位阵列含有多个EP-3DM元(1aa)、数据字线(20a)和数据位线(30a)；该数据位线通过一接触通道口(30av)与所述数据读出放大器相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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