[发明专利]电编程三维只读存储元无效
| 申请号： | 03145665.0 | 申请日： | 1998-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN1505160A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 张国飙 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610051四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电编程三维只读存储元。多个电编程三维只读存储元通过多根选址线相连，组成一个存储层。多个存储层在衬底上相互重叠。由于电编程三维只读存储元分布在三维空间中，存储器的存储密度和存储容量可极大提高。电编程三维存储器可以广泛地应用在很多领域。 | ||
| 搜索关键词： | 编程 三维 只读 存储 | ||
【主权项】：
1.一种电编程三维只读存储元，其特征在于具有：第一电极(501)；第二电极(503)；以及在所述第一电极和第二电极之间的准导通膜(502)和反熔丝膜(502ca)；当该存储元上的电压为读电压时，所述准导通膜电阻较小；当该存储元上的电压小于读电压时，其电阻较大；所述反熔丝膜含有绝缘材料，所述反熔丝膜在编程后处于低电阻状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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