[发明专利]薄膜磁头、其制造方法和带使用薄膜磁头的滑动器的磁盘装置无效

专利信息
申请号: 03145858.0 申请日: 2003-07-11
公开(公告)号: CN1490789A 公开(公告)日: 2004-04-21
发明(设计)人: 中山正俊 申请(专利权)人: TDK股份有限公司
主分类号: G11B5/39 分类号: G11B5/39
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 李家麟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 通过提供具有小于等于40的厚度的保护膜提供抗耐腐蚀性高、用于大容量记录媒介的磁阻薄膜磁头。由于磁头和媒介之间的间距明显降低,薄膜适于具有高存储密度的记录媒介。提供了磁阻型薄膜磁头,其中由具有如下通式表示的成分的类金刚石薄膜并且厚度小于等于40的保护膜:CHaObNcFdBePf(其中a=0-0.7,b=0-1,c=0-1,d=0-1,e=0-1及f=0-1,以原子比计),至少形成于接触记录媒介的磁头表面。还提供了其制造的方法,和使用薄膜磁头的磁头装置。
搜索关键词: 薄膜 磁头 制造 方法 使用 滑动 磁盘 装置
【主权项】:
1.一种薄膜磁头,它具有含磁阻元件的MR磁头部分其特征在于,至少在朝向记录媒介的所述MR磁头部分的表面上形成有其组成由以下通式表示的保护膜:CHaObNcFdBePf 其中a=0-0.7,b=0-1,c=0-1,d=0-1,e=0-1及f=0-1,以原子比计,并且厚度等于或小于40。
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