[发明专利]无沟槽隔离转角的非挥发性存储器结构无效
| 申请号： | 03145865.3 | 申请日： | 2003-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1571137A | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 易成名;陈辉煌;陈鸿祺 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L27/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种具有无沟槽隔离转角的非挥发性存储器结构。本发明是使用一无沟槽隔离转角结构来分隔一沟槽隔离装置与一非挥发性存储器结构，进而可以提升所述非挥发性存储器结构的可靠度。此外，根据耦合比的定义，藉由所述的无沟槽隔离转角结构，可以改变所述非挥发性存储器的有效操作宽度，进而可以让所述的非挥发性存储器发挥更高的效率。所以，本发明不仅可以提升非挥发性存储器的可靠度，还可以提高非挥发性存储器的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 转角 挥发性 存储器 结构 | ||
【主权项】：
1.一种无沟槽隔离转角的非挥发性存储器结构，包含：一底材；至少一沟槽隔离装置，该沟槽隔离装置包含一位于该底材上的第一部份，与一位于该底材中的第二部份；及一间隙壁，位于该第一部分的一侧壁上，该间隙壁覆盖一位于该侧壁与该底材之间的沟槽隔离转角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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