[发明专利]半导体器件的制造方法和退火装置有效
| 申请号： | 03146085.2 | 申请日： | 2003-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN1472780A | 公开（公告）日： | 2004-02-04 |
| 发明（设计）人： | 伊藤贵之;须黑恭一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/324;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题是提供防止因栅电极中的杂质扩散不充分引起的耗尽化且具有低电阻的和浅的杂质扩散层的MOS晶体管。解决方法是具有下述工序：在单晶的半导体衬底上形成栅绝缘膜的工序；在栅绝缘膜上形成由多晶导电膜构成的栅电极的工序；在栅电极中和与栅电极邻接或离开的半导体衬底的表面层中注入杂质的工序；在主要使在栅电极中已被注入的杂质扩散、同时抑制在半导体衬底的表面层中已被注入的杂质的扩散的温度下进行热处理的第1热处理工序；以及在使半导体衬底中已被注入的杂质激活的温度下与第1热处理相比以高温短时间进行热处理的第2热处理工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 退火 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有下述工序：在单晶的半导体衬底上形成栅绝缘膜的工序；在上述栅绝缘膜上形成由多晶导电膜构成的栅电极的工序；在上述栅电极中和与上述栅电极邻接或离开的上述半导体衬底的表面层中注入杂质的工序；在主要使在上述栅电极中已被注入的杂质扩散、并且抑制在上述半导体衬底的表面层中已被注入的杂质的扩散的的温度下进行热处理的第1热处理工序；以及在使上述半导体衬底中已被注入的杂质激活的温度下与上述第1热处理相比以高温短时间进行热处理的第2热处理工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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