[发明专利]稀土元素促进藏红花细胞生长和提高藏红花素含量的方法无效
| 申请号： | 03146096.8 | 申请日： | 2003-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN1570087A | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 王玉春;陈书安;王晓东;赵兵;袁晓凡 | 申请（专利权）人： | 中国科学院过程工程研究所 |
| 主分类号： | C12N5/04 | 分类号： | C12N5/04;A01G7/00;A01H4/00;A61K35/78 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王凤华 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种应用稀土元素促进藏红花细胞生长和提高藏红花素含量的方法。该方法将藏红花的愈伤组织接种到含有稀土元素、细胞分裂素和细胞生长素的植物细胞培养基上，于15℃～30℃下培养15～30天；将得到的愈伤组织再一次接种到含有稀土元素、细胞分裂素和细胞生长素的植物细胞培养基上，于15℃～30℃下培养15～50天。使用本方法促进了藏红花细胞生长，在相同的培养时间，可以比已有技术获得更多的藏红花细胞的生物量，藏红花素含量也显著提高，而且得到的藏红花素不容易褐化。 | ||
| 搜索关键词： | 稀土元素 促进 藏红花 细胞 生长 提高 含量 方法 | ||
【主权项】：
1、一种应用稀土元素促进藏红花细胞生长和提高藏红花素含量的方法，包括如下步骤：1)将藏红花的愈伤组织接种到含0.005～0.3mM的稀土元素的常规植物细胞培养基上，并添加0.1～2.0mg/g的细胞分裂素和0.5～6mg/g的细胞生长素，于15～30℃下培养15～30天；2)将步骤1)培养的愈伤组织接种到含0.005～0.3mM稀土元素的常规植物细胞培养基，并添加0.1～2.0mg/g的细胞分裂素和0.5～6mg/g的细胞生长素，于15～30℃下培养15～50天。
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