[发明专利]用PLD法制备具有室温正巨磁阻效应的镍碳薄膜材料无效
| 申请号： | 03146161.1 | 申请日： | 2003-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN1487115A | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | 章晓中;薛庆忠;田鹏 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/24;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于磁学量传感器材料的一种用PLD法制备具有室温正巨磁阻效应的镍碳薄膜材料。是在Si(100)基片上，用不同比例的Ni－C复合冷压靶材，在3－5Pa氩气条件下，利用PLD方法在一定温度下沉积得Ni－C薄膜。在同样制备条件下，不同靶材成分，其薄膜厚度不同，薄膜厚度约为：30－120nm。该材料在温度为300K、外加磁场为1T的条件下的正磁阻效应可高达13％，此后，随外加磁场的增加而近似线形增加。Ni－C材料价格低廉，性能优越，是一种很好的磁传感器材料。 | ||
| 搜索关键词： | pld 法制 具有 室温 磁阻 效应 薄膜 材料 | ||
【主权项】：
1.一种用PLD法制备具有室温正巨磁阻效应的镍碳薄膜材料，其特征在于：所述Ni-C薄膜是由C和Ni构成的磁阻材料，其Ni体积比含量为1-40％。
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