[发明专利]一种晶格缺陷可调控型长余辉发光材料

摘要

本发明公开了一种名义组成为(M_1－xEu_x)O·m(Al_yB_1－y)₂0₃·nSiO₂：Rw，R’_z的长余辉光致发光材料，其中M为Ca、Sr、Ba等元素中的一种或多种，R为Dy、Ho、Er、Nd、Pr等稀土元素中的一种或多种，R’为F、Cl、P等非金属高电负性元素中的一种或多种，x、y、w、z、m、n值范围见说明书定义。Eu作为发光中心，直接进到基质晶格的阳离子位置，而R和R’作为陷阱的调控剂，来产生余辉和调控余辉时间与发光亮度。本发明首次提出通过调控缺陷陷阱的深度和数量来合成长余辉发光材料，利用高电负性非金属元素和变价稀土离子来产生复合晶格缺陷，实现余辉时间和亮度的调控。

主权项

1.一种长余辉光致发光材料，其化学组成为(M1-xEux)0·m(AlyB1-y)2O3·nSiO2：Rw，R′z，其中M为Ca、Sr、Ba等元素中的一种或多种；R为Dy、Ho、Er、Nd、Pr等稀土元素中的一种或多种；R′为F、Cl、P等非金属高电负性元素中的一种或多种。其中x值为0.0001～0.06；y值为0.05～0.5；w值为0.001～0.12；z值为0.001～0.05；m值为0.9～6.0；n值为0.1～2.5。