[发明专利]具有几何形状沟槽的沟槽型电容的制程有效
| 申请号： | 03146374.6 | 申请日： | 2003-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN1567571A | 公开（公告）日： | 2005-01-19 |
| 发明（设计）人： | 黄则尧;陈逸男;蔡子敬 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/70 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有几何形状沟槽的沟槽型电容的制程，包括：提供一具有一垫层结构的基底；形成一第一硬罩幕层于该垫层结构上；形成一图案化的第二硬罩幕层于该第一硬罩幕层上，露出一第一开口；形成一间隔层于该第一开口的侧壁以构成一较小的第二开口；形成一第三硬罩幕层以填满该第二开口；去除该间隔层，蚀刻该第一硬罩幕层，露出一第三开口，且该第一硬罩幕层于该第三开口内具有一第一硬罩幕层突出部分；以及蚀刻该第一硬罩幕层、该第一硬罩幕层突出部分、该垫层结构及该基板，以形成一具一中间突出部分的几何形状沟槽于该基板中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 几何 形状 沟槽 电容 | ||
【主权项】：
1.一种具有几何形状沟槽的沟槽型电容的制程，包括：提供一基底；形成一垫层结构于该基底表面；形成一第一硬罩幕层于该垫层结构上；形成一图案化的第二硬罩幕层于该第一硬罩幕层上，并露出部分的该第一硬罩幕层表面以构成一第一开口；形成一间隔层于上述第一开口侧壁以构成一较小的第二开口；形成一第三硬罩幕层以填满该第二开口；去除该间隔层，并以该第二硬罩幕层与该第三硬罩幕层作为蚀刻罩幕蚀刻该第一硬罩幕层，形成一具一第一硬罩幕层突出部分的第三开口；去除该第二硬罩幕层与该第三硬罩幕层；以及蚀刻该第一硬罩幕层、该第一硬罩幕层突出部分、该垫层结构及该基板，以形成一具一中间突出部分的几何形状沟槽于该基板中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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