[发明专利]静电电容式传感器无效
| 申请号： | 03146496.3 | 申请日： | 2003-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1472519A | 公开（公告）日： | 2004-02-04 |
| 发明（设计）人： | 森本英夫 | 申请（专利权）人： | 新田株式会社 |
| 主分类号： | G01L1/14 | 分类号： | G01L1/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;叶恺东 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在FPC的第1面上形成电容元件用电极，同时，在第2面上形成位移电极。并且，通过在连结部中弯曲FPC，使得在第1面上第2面相对，在电容元件用电极和位移电极之间构成电容元件。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 电容 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种静电电容式传感器，其特征在于，包括：检测部件；第1电极，与所述检测部件相对；第2电极，在所述检测部件和所述第1电极之间，与所述第1电极之间构成电容元件，且随着所述检测部件发生位移，可沿与其相同的方向位移；设有所述第1电极和所述第2电极两者的一个具有挠性的衬底；利用输入到所述第1电极的信号，根据检测出因所述第1电极和所述第2电极的间隔的变化而引起的所述电容元件的静电容量值的变化，可识别所述检测部件的位移。
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