[发明专利]微型机电系统（MEMS）可变光衰减器无效
| 申请号： | 03146520.X | 申请日： | 2003-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN1536422A | 公开（公告）日： | 2004-10-13 |
| 发明（设计）人： | 李浈铉;郑成天;洪允植;李贤基 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/19 | 分类号： | G02F1/19;G02B6/26;H04B10/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜;谷惠敏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种MEMS(微型机电系统)可变光衰减器。MEMS可变光衰减器包括具有上平面的衬底；静电衰减器，布置在衬底的上表面上；发射和接收端，布置在衬底上以便这些端的光轴彼此重合；以及光束闸，由激励器移向发射和接收端间的指定位置；其中光束闸具有第一涂层和第二涂层，该第一涂层由具有超过90％的反射率制成并形成在光束闸的表面上，该第二涂层由具有低于80％的反射率的材料制成，以便由第二涂层透射部分光并具有由第二涂层的厚度确定的透射光的光分解率。该MEMS可变光衰减器最小化由反射生成的光的散射部分的总量并挡住透射光以便不到达接收端，从而降低波长相关损耗(WDL)和极化相关损耗(PDL)，并提高挡住效率。 | ||
| 搜索关键词： | 微型 机电 系统 mems 可变 衰减器 | ||
【主权项】：
1.一种微型机电系统(MEMS)可变光衰减器，包括：具有上平面的衬底；静电衰减器，布置在衬底的上表面上；发射和接收端，布置在衬底上，以便这些端的光轴彼此重合；以及光束闸，由激励器移向发射和接收端间的指定位置；其中，光束闸具有第一涂层和第二涂层，该第一涂层由具有超过90％的反射率的材料制成，并形成在光束闸的表面上，该第二涂层由具有低于80％的反射率的材料制成，以便由第二涂层透射部分光，并具有由第二涂层的厚度确定的透射光的光分解率。
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