[发明专利]叠合标记的结构以及其形成方法有效
| 申请号： | 03146538.2 | 申请日： | 2003-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN1567530A | 公开（公告）日： | 2005-01-19 |
| 发明（设计）人： | 颜裕林;张庆裕 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成叠合标记的方法，其首先在一基底上形成一材料层。之后图案化材料层，以形成一外部标记，并且同时形成一分散应力图案，其中分散应力图案将外部标记包围起来。接着在材料层表面形成一第一膜层，并且进行一平坦化步骤，以移除部分第一膜层。然后在材料层上形成一第二膜层，覆盖第一膜层，其中第二膜层的应力与第一膜层的应力不同。之后在外部标记内围的第二膜层上形成一光阻图案，以作为一内部标号。由于在外部标记的外围形成有分散应力图案，因此第二膜层的应力可以被分散，而使外部标记上的第二膜层的厚度均匀度可以改善。 | ||
| 搜索关键词： | 叠合 标记 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成叠合标记的方法，其特征在于，包括：在一基底上形成一材料层；图案化该材料层，以形成一外部标记，并且同时形成一分散应力图案，该分散应力图案将该外部标记包围起来；在该材料层表面形成一第一膜层；进行一平坦化步骤，以移除部分该第一膜层；在该材料层上形成一第二膜层，覆盖该第一膜层，其中该第二膜层之应力系与该第一膜层的应力不同；以及在该外部标记内围的该第二膜层上形成一内部标号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
