[发明专利]半导体器件和半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 03146675.3 | 申请日： | 2003-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN1471162A | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | 岡嶋睦 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L27/10;H01L27/108;H01L21/768;G11C11/34 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供接点区中相邻的布线间距离比以往宽的、能避免布线相互间的不希望有的短路的半导体器件及其制造方法。该半导体器件100具备：在半导体衬底110的内部或半导体衬底110的表面上被设置的导电体130；在半导体衬底110的表面上或导电体130的表面上被设置的绝缘层150；贯通绝缘层150并到达导电体130的接触孔160；被充填在接触孔160的内部并导电性地连接到导电体130上的导电体170；以及以通过在绝缘层150的表面区域中设置有接触孔160的接点区C的方式延伸且在接点区C内至少一方的侧边与导电体170相接的布线200。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具备：第1导电体，被设置在半导体衬底的内部或半导体衬底的表面上；绝缘层，被设置在上述半导体衬底的表面上或第1导电体的表面上；接触孔，贯通上述绝缘层并到达上述第1导电体；第2导电体，被充填在上述接触孔的内部，与上述第1导电体导电性地连接；以及布线，以通过在上述绝缘层的表面区域中设置有上述接触孔的接点区的方式延伸，而且在上述接点区内至少一方的侧边与上述第2导电体相接。
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