[发明专利]发光二极管阵列有效

专利信息
申请号: 03146727.X 申请日: 2003-07-09
公开(公告)号: CN1527411A 公开(公告)日: 2004-09-08
发明(设计)人: 行本富久;国武栄一;杉山聡;小森洋介;助川俊光 申请(专利权)人: 日立电线株式会社
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L27/15;B41J2/44
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 代理人: 徐川
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种发光二极管阵列,它能够防止台面蚀刻的高差斜面部分产生的Au加工残留造成的布线短路,同时容易控制发光部的尺寸、成品率高且批量化生产性强。其特征在于,具有:在基片上形成的导电层、在前述导电层上形成的各自独立的发光部、在各发光部上面的至少一部分形成的第一电极、和接近前述发光部并在前述导电层上形成的第二电极;前述第一电极具有开关用的矩阵共电极、前述第二电极具有按块分割的共电极;前述第一共电极及前述第二共电极上延伸存在的压焊片的至少一方设在前述导电层上呈岛状形成的压焊部上,而且前述压焊片各自独立形成。
搜索关键词: 发光二极管 阵列
【主权项】:
1.发光二极管阵列,其特征在于,具有:在基片上形成的导电层、在前述导电层上形成的各自独立的发光部、在各发光部上面的至少一部分形成的第一电极、和接近前述发光部并在前述导电层上形成的第二电极;前述第一电极具有开关用的矩阵共电极、前述第二电极具有按块分割的共电极;前述第一共电极及前述第二共电极上延伸存在的压焊片的至少一方设在前述导电层上呈岛状形成的压焊部上,而且前述压焊片各自独立形成。
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