[发明专利]蓝宝石衬底发光二极管芯片电极制作方法有效
| 申请号： | 03146826.8 | 申请日： | 2003-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN1595668A | 公开（公告）日： | 2005-03-16 |
| 发明（设计）人： | 吴启保;王胜国 | 申请（专利权）人： | 方大集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/28;H01L27/15 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 518055广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种蓝宝石衬底发光二极管芯片的电极制作方法，可采用三步法，具体的方法步骤依次分别为：PT超薄透明电极光刻与蒸镀、P电极光刻与蒸镀、合金、PN电极光刻与蒸镀；或者采用两步法，具体的方法步骤依次分别为：PT超薄透明电极光刻与蒸镀、合金、PN电极光刻与蒸镀，来达到提高生产效率，降低生产成本，改善产品质量的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 蓝宝石 衬底 发光二极管 芯片 电极 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种蓝宝石衬底发光二极管芯片电极制作方法，其特征在于，包括下列各步骤：1.1在光刻机上利用PT超薄透明电极的光刻版作掩膜进行光刻，然后在第一真空度的真空条件下，利用磁控溅射台在光刻好的晶片上依次溅射第一厚度的镍和第二厚度的金；1.2在光刻机上利用P电极的光刻版作掩膜进行光刻，然后在第二真空度的真空条件下，利用磁控溅射台或电子束蒸发台设备在光刻好的晶片上依次溅射或蒸镀第三厚度的镍和第四厚度的金；1.3在第一成分的气氛内和第一温度的高温下对蒸镀有镍和金的晶片进行快速热处理；1.4在光刻机上利用PN电极的光刻版作掩膜进行光刻，然后在第三真空度的真空条件下，利用磁控溅射台或电子束蒸发台设备在光刻好的晶片上依次溅射或蒸镀适当第五厚度的钛、第六厚度的铝、第七厚度的镍和第八厚度的金。
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