[发明专利]高色纯度的电致发光器件及其制备方法有效
申请号: | 03146959.0 | 申请日: | 2003-09-27 |
公开(公告)号: | CN1529535A | 公开(公告)日: | 2004-09-15 |
发明(设计)人: | 彭俊彪;曹镛;莫越奇;杨伟;章勇 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H05B33/14 | 分类号: | H05B33/14;H05B33/26;H05B33/10 |
代理公司: | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人: | 何燕玲 |
地址: | 510640广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及窄发射光谱带电致发光显示的高分子薄膜及其制备方法,所述薄膜由透明衬底、透明电极、空穴传输层、共混发光薄膜层或多层高分子薄膜和金属电极薄膜依次层叠构成;本发明通过改变发光高分子链间耦合以及调控电子和空穴载流子传输过程,利用宽禁带高分子发光材料的激发能容易向窄禁带高分子发光材料进行分子间能量转移机制实现窄化高分子发光光谱;这种薄膜具有超薄、稳定、发光色度饱和、技术方法简单、成本低的效果和优点,可用于实现高分子彩色显示屏的制作。 | ||
搜索关键词: | 纯度 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种高色纯度的电致发光器件,主要由金属电极层、空穴传输层、发光层、透明电极层依次层叠构成;其特征在于所述金属电极层是金属锂、硼、钠、钙、镁、铍、钡、钾、铝、金、或银、或其金属氧化物、或其中两种以上金属的合金;所述空穴传输层由以碳或硅做主链的共轭或非共轭高电导体系构成的薄膜;所述透明电极层是金属铝、金、或银、或其氧化物;所述发光层是高分子薄膜。
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